基于目前对大脑和经颅磁刺激的影响的了解，研究人员假设它们可以改善情景记忆，并在这个过程中，为未来的记忆相关治疗产生靶点。
研究人员首先分析了40名被要求记忆单词表的大学生过去的数据。一半的学生在尝试记忆单词时，对左侧前额叶背外侧皮层进行慢速rTMS，另一半则对大脑的控制区进行rTMS。在一项新的实验中，研究人员收集了24名大学生的数据，他们每个人在两种反复经颅磁刺激条件下都进行了类似的记忆任务。
对这两组数据的分析表明，当左侧前额叶皮层受到刺激时，记忆单词的表现更好。研究人员检查了实验期间记录的脑电图数据，发现应用于前额叶区域的慢速rTMS导致了大脑顶叶区域的低频(beta)波功率的降低，该区域被认为与注意力和感知有关。
由于缓慢的经颅磁刺激会抑制大脑活动，而前额叶皮层会抑制大脑后部的区域，范德普拉斯和他的合著者推断，缓慢的经颅磁刺激解除了对顶叶区域活动的抑制，从而增强了被记忆单词的编码，从而改善了记忆。
范德普拉斯指出:“我们的电生理学结果表明，额叶刺激通过抑制顶叶区域影响更广泛的网络，并改善记忆的形成。这些是复杂但有趣的效应，需要进一步的实验来更好地理解它们的神经基础。”
Hanslmayr补充说:“当我们在第一项研究中看到这些效果时，我们非常惊讶，该研究是为了调查一个不同的问题。因此，我们需要在第二次实验中复制这种效果，看看这是不是真的，而且看起来确实是真的。”
Journal Reference:
Mircea van der plas, Verena Braun, Benjamin Johannes Stauch, Simon Hanslmayr. Stimulation of the left dorsolateral prefrontal cortex with slow rTMS enhances verbal memory formation. pLOS Biology, 2021; 19 (9): e3001363 DOI: 10.1371/journal.pbio.3001363